| 標題: | 検出能を高めるフォトダイオードデバイス及びその形成方法 |
| 作者: | ファン－チュン チェン シュ－チェン リン |
| 公開日期: | 17-六月-2013 |
| 摘要: | 【課題】暗電流を引き下げ、それによりフォトダイオードデバイスの検出能を引き上げると同時に、良好な光感応及び外部量子効率を維持できるようにし、さらに、現有の無機感光体装置に代替することで、製品コストを引き下げる。【解決手段】基板１０と、基板１０において形成される透明導電性フィルム１２と、透明導電性フィルム１２において形成される導電性ポリマー層１４と、導電性ポリマー層１４において形成される有機活性層１６と、有機活性層１６において形成される電荷ブロッキング層１８と、電荷ブロッキング層１８において形成される陰極金属２０を含むフォトダイオードデバイスの形成方法。【選択図】図１ |
| 官方說明文件#: | H01L031/10 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/105817 |
| 專利國: | JPN |
| 專利號碼: | 2013120928 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
