標題: | 提高光偵測度之光偵測元件及其形成方法 |
作者: | 陳方中 林書丞 |
公開日期: | 21-十月-2014 |
摘要: | 一種光偵測元件之形成方法,包括:提供基板;在基板上形成透明導電薄膜;在透明導電薄膜上形成導電高分子層;在導電高分子層上形成有機主動層;在有機主動層上形成電荷阻擋層;以及在電荷阻擋層上形成陰極金屬。 |
官方說明文件#: | H01L031/0256 H01L031/18 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/105819 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I458105 |
顯示於類別: | 專利資料 |