標題: 提高光偵測度之光偵測元件及其形成方法
作者: 陳方中
林書丞
公開日期: 21-十月-2014
摘要: 一種光偵測元件之形成方法,包括:提供基板;在基板上形成透明導電薄膜;在透明導電薄膜上形成導電高分子層;在導電高分子層上形成有機主動層;在有機主動層上形成電荷阻擋層;以及在電荷阻擋層上形成陰極金屬。
官方說明文件#: H01L031/0256
H01L031/18
URI: http://hdl.handle.net/11536/105819
專利國: TWN
專利號碼: I458105
顯示於類別:專利資料


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