提高光偵測度之光偵測元件及其形成方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳方中	en_US
dc.contributor.author	林書丞	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:23Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:16:23Z	-
dc.date.issued	2014-10-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L031/0256	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L031/18	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105819	-
dc.description.abstract	一種光偵測元件之形成方法，包括：提供基板；在基板上形成透明導電薄膜；在透明導電薄膜上形成導電高分子層；在導電高分子層上形成有機主動層；在有機主動層上形成電荷阻擋層；以及在電荷阻擋層上形成陰極金屬。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	提高光偵測度之光偵測元件及其形成方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I458105	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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