完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張 翼 | en_US |
| dc.contributor.author | ▲呉▼ 雲驥 | en_US |
| dc.contributor.author | 林 岳欽 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:24Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:24Z | - |
| dc.date.issued | 2011-04-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/812 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/778 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/338 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/78 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/28 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/417 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/49 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/423 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105822 | - |
| dc.description.abstract | 【課題】ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。【解決手段】ＭＯＳ－ＰＨＥＭＴ構造は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３及びＺｒＯ２からなる群から選ばれる材料からなるゲート誘電体層107を有することを特徴とし、これにより、このＭＯＳ－ＰＨＥＭＴの構造を含む、高周波スイッチデバイスなどの半導体構造が、直流電流の損失及び挿入損失の低下を防ぎ、隔絶性を向上させることができる。【選択図】図１Ｅ | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | JPN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 2011082332 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
