完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 周政偉 | en_US |
| dc.contributor.author | 冉暁▲ブン▼ | en_US |
| dc.contributor.author | 蔡娟娟 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:24Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:24Z | - |
| dc.date.issued | 2011-01-20 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/786 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/417 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/49 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/423 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105823 | - |
| dc.description.abstract | 【課題】自己整合薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法を提供する。【解決手段】先ず、透明基板の第１表面上に酸化物ゲート、誘電体層、及びフォトレジスト層を順に堆積する。次に、該透明基板の第１表面と反対側の第２表面に紫外光を照射することで、該フォトレジスト層を露光する。この時、該酸化物ゲートからなるゲートはマスクとして働き、該フォトレジスト層の該酸化物ゲートに対応する部分に照射される紫外光を吸収する。次に、該露光されたフォトレジスト層を除去し、該フォトレジスト層の未露光部分と該誘電体層との上に透明導電層を堆積する。次に、該透明導電層にパターン形成プロセスを実行して、ソースとドレインとを形成し、ソース、ドレイン、及び誘電体層を覆うようアクティブ層を形成して、自己整合ＴＦＴ構造体が完成する。【選択図】図１ | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 自己整合薄膜トランジスタの製造方法とその構造体 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | JPN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 2011014858 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
