完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 黄泓文 | en_US |
dc.contributor.author | 盧廷昌 | en_US |
dc.contributor.author | 邱清華 | en_US |
dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
dc.contributor.author | 王興宗 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:25Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:16:25Z | - |
dc.date.issued | 2008-12-18 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105849 | - |
dc.description.abstract | 【課題】光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用して酸化反応を起こし、柱状ナノ構造体を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【解決手段】発光ダイオード(LED)の表面に薄膜金属層をめっきし、それを熱処理した後で金属の顆粒でマスクを形成し、マスクで保護されていない部分にエッチング処理を施し、金属顆粒マスクを取り外して柱状ナノ構造体(ナノロッド)を形成し、続いて、柱状ナノ構造体(ナノロッド)が形成された発光ダイオード(LED)を光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用、それに一定の電流を流し、さらに水銀灯の光を照射し、P型半導体材料を除き、材料の表面積に酸化層106を形成し、最後に再度金属層107をめっきし、P型半導体材料を導通して、柱状ナノ構造体(ナノロッド)を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【選択図】図1F | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 柱状ナノ構造体(ナノロッド)を利用し発光ダイオード(LED)の発光効率を引き上げる方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | JPN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 2008306156 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |