完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 荘 晴光 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳 志強 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:25Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:25Z | - |
| dc.date.issued | 2005-04-28 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01P003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01P005/22 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01P009/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105856 | - |
| dc.description.abstract | 【課題】 マイクロ波集積回路の小型化を達成できる二次元アレイ導波管構造を提供する。【解決手段】 本発明の二次元アレイ導波管構造は、第一金属層、第二金属層と誘電体層（dielectric layer）を有する。誘電体層は、第一金属層と前記第二金属層の間に位置し、第一金属層と前記第二金属層を隔てる。第一金属層及び第二金属層は、それぞれ複数の第一ユニットセル及び複数の第二ユニットセルによって、ローとコラム方向に沿って二次元アレイ導波管構造を形成する。各第一ユニットセルは、主体と複数の接続アームによって構成され、各第二ユニットセルは、金属線ループによって構成される。第二金属層は第一金属層の下方に位置し、且つ、各第二ユニットセルはそれぞれ一対一の方式で各第一ユニットセルに対応し、完全なユニットセルを形成する。【選択図】 図１ａ | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 二次元アレイ導波管構造 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | JPN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 2005117461 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
