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dc.contributor.author呉介▲そう▼en_US
dc.contributor.author汪大暉en_US
dc.contributor.author張錫嘉en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:25Z-
dc.date.available2014-12-16T06:16:25Z-
dc.date.issued2005-03-10en_US
dc.identifier.govdocG11C011/56zh_TW
dc.identifier.govdocG06F012/16zh_TW
dc.identifier.govdocG11C016/02zh_TW
dc.identifier.govdocG11C016/06zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/105857-
dc.description.abstract【課題】 記憶媒体のデータを保存する容量を増加し、アクセスするデータの正確性を確保し、記憶媒体の保存空間を十分に利用できる、マルチレベルメモリセルを組み合わせ、且つこれにエラー訂正メカニズムを具えさせる方法を提供する。 【解決手段】 n段階の電圧レベルを具え、且つ該nが2の2乗値でなく、保存ビットを、数式1で表すことのできる少なくとも一以上のメモリセルを提供し、1よりも大きいk個のメモリセルを組み合わせて記憶媒体を形成し、データを該記憶媒体に保存する。該記憶媒体の保存ビットは、数式2で表示され、且つ該記憶媒体は更に余剰電圧レベル階数を具え、該余剰電圧レベル階数は保存ビットの電圧レベル階数の数値に含まれることなく、数式3で表示され、該データは該記憶媒体の保存ビットである該数式2に保存され、且つ該記憶媒体の有する該余剰電圧レベル階数に該データをチェックするエラー消去情報を表示する。【数1】【数2】【数3】【選択図】 図3zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.titleマルチレベルメモリセルを組み合わせ、且つこれにエラー訂正メカニズムを具えさせる方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryJPNzh_TW
dc.citation.patentnumber2005063662zh_TW
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