完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 邱清华 | en_US |
dc.contributor.author | 黄泓文 | en_US |
dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
dc.contributor.author | 卢廷昌 | en_US |
dc.contributor.author | 王兴宗 | en_US |
dc.contributor.author | 赖志铭 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:26Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:16:26Z | - |
dc.date.issued | 2012-08-29 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105862 | - |
dc.description.abstract | 本发明有关一种半导体发光元件及其制作方法。半导体发光元件,包含基板、形成基板上的p型半导体层、形成p型半导体层上的发光层,及形成发光层上的n型半导体层,n型半导体层表面形成多数垂直基板方向且深度不小于0.2微米奈米柱体。藉加深奈米柱体深度可改变半导体发光元件发光场型,提升正向出光强度及发光效率。半导体发光元件制作方法包含:在第一基板上磊晶形成n型半导体层、发光层及p型半导体层;提供导电性基板,反转第一基板上磊晶结构层于导电基板上,使n型半导体层表面裸露;将多数球状颗粒散布n型半导体层表面做蚀刻遮罩;及以垂直导电基板方向蚀刻n型半导体层,形成多数深度不小于0.2微米奈米柱体。该制作方法可形成较大深度的奈米柱体,提高正向出光强度。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 半导体发光元件及其制作方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | CHN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | CN101369618 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |