半导体发光元件及其制作方法

Abstract

本发明有关一种半导体发光元件及其制作方法。半导体发光元件，包含基板、形成基板上的p型半导体层、形成p型半导体层上的发光层，及形成发光层上的n型半导体层，n型半导体层表面形成多数垂直基板方向且深度不小于0.2微米奈米柱体。藉加深奈米柱体深度可改变半导体发光元件发光场型，提升正向出光强度及发光效率。半导体发光元件制作方法包含：在第一基板上磊晶形成n型半导体层、发光层及p型半导体层；提供导电性基板，反转第一基板上磊晶结构层于导电基板上，使n型半导体层表面裸露；将多数球状颗粒散布n型半导体层表面做蚀刻遮罩；及以垂直导电基板方向蚀刻n型半导体层，形成多数深度不小于0.2微米奈米柱体。该制作方法可形成较大深度的奈米柱体，提高正向出光强度。