具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	張嘉華	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.contributor.author	陳宥綱	en_US
dc.contributor.author	劉世謙	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:27Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:16:27Z	-
dc.date.issued	2014-10-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/778	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105883	-
dc.description.abstract	一種具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構，包括一基板、一位於基板上之氮化鎵磊晶層、至少一位於氮化鎵磊晶層上之歐姆接觸層、一位於氮化鎵磊晶層之上的金屬閘極層、以及一位於金屬閘極層與氮化鎵磊晶層之間的擴散阻擋層。利用此一擴散阻擋層，可用以阻擋金屬閘極層之擴散，使得氮化鎵電晶體結構具有較佳之元件特性及可靠度。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	具有高電子遷移率之氮化鎵電晶體結構	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I458092	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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