标题: | 具有高电子迁移率之氮化镓电晶体结构 |
作者: | 张翼 张嘉华 林岳钦 陈宥纲 刘世谦 |
公开日期: | 21-十月-2014 |
摘要: | 一种具有高电子迁移率之氮化镓电晶体结构,包括一基板、一位于基板上之氮化镓磊晶层、至少一位于氮化镓磊晶层上之欧姆接触层、一位于氮化镓磊晶层之上的金属闸极层、以及一位于金属闸极层与氮化镓磊晶层之间的扩散阻挡层。利用此一扩散阻挡层,可用以阻挡金属闸极层之扩散,使得氮化镓电晶体结构具有较佳之元件特性及可靠度。 |
官方说明文件#: | H01L029/778 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/105883 |
专利国: | TWN |
专利号码: | I458092 |
显示于类别: | Patents |
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