标题: 具有高电子迁移率之氮化镓电晶体结构
作者: 张翼
张嘉华
林岳钦
陈宥纲
刘世谦
公开日期: 21-十月-2014
摘要: 一种具有高电子迁移率之氮化镓电晶体结构,包括一基板、一位于基板上之氮化镓磊晶层、至少一位于氮化镓磊晶层上之欧姆接触层、一位于氮化镓磊晶层之上的金属闸极层、以及一位于金属闸极层与氮化镓磊晶层之间的扩散阻挡层。利用此一扩散阻挡层,可用以阻挡金属闸极层之扩散,使得氮化镓电晶体结构具有较佳之元件特性及可靠度。
官方说明文件#: H01L029/778
URI: http://hdl.handle.net/11536/105883
专利国: TWN
专利号码: I458092
显示于类别:Patents


文件中的档案:

  1. I458092.pdf

If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.