高分子基板之高頻覆晶封裝製程及其結構

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	許立翰	en_US
dc.contributor.author	胡志偉	en_US
dc.contributor.author	吳偉誠	en_US
dc.contributor.author	王景德	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:28Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:16:28Z	-
dc.date.issued	2013-02-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/56	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L023/48	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L023/28	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105895	-
dc.description.abstract	本發明係提供一種高分子基板之高頻覆晶封裝製程及其結構，其係利用一階層之高頻覆晶封裝製程所封裝之結構，該結構可有效解決習用經由二階層之高頻覆晶封裝製程所製造之結構，其不僅在高頻特性上會帶來一額外之入射損耗與反射損耗，同時在應用上容易產生一可靠度問題、以及在該習用結構中之一陶瓷基板的製程良率上，仍存在有不佳及成本偏高等缺點。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	高分子基板之高頻覆晶封裝製程及其結構	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I387016	zh_TW
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