Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳昱良 | en_US |
| dc.contributor.author | 錢乃瑛 | en_US |
| dc.contributor.author | 裘性天 | en_US |
| dc.contributor.author | 李紫原 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:29Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:29Z | - |
| dc.date.issued | 2014-10-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | C25D005/02 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C014/16 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C014/34 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105916 | - |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種一維金屬奈米結構之製造方法，係利用濺鍍方式濺鍍一層導電薄膜於一撓性基材上，以形成一導電基材；再將導電基材放置於電鍍溶液內進行電化學沈積，使導電基材上形成對應導電薄膜之一維金屬奈米線結構。因此，本發明的材料製作不需要複雜的微影蝕刻技術流程、及金屬奈米結構粉末混漿塗膜於基材上，即可得到具有高表面積的一維金屬奈米線線結構於撓性基材上。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一維金屬奈米結構之製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I457474 | zh_TW |
| Appears in Collections: | Patents | |
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