一維金屬奈米結構之製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳昱良	en_US
dc.contributor.author	錢乃瑛	en_US
dc.contributor.author	裘性天	en_US
dc.contributor.author	李紫原	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:29Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:16:29Z	-
dc.date.issued	2014-10-21	en_US
dc.identifier.govdoc	C25D005/02	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C014/16	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C014/34	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105916	-
dc.description.abstract	本發明提供一種一維金屬奈米結構之製造方法，係利用濺鍍方式濺鍍一層導電薄膜於一撓性基材上，以形成一導電基材；再將導電基材放置於電鍍溶液內進行電化學沈積，使導電基材上形成對應導電薄膜之一維金屬奈米線結構。因此，本發明的材料製作不需要複雜的微影蝕刻技術流程、及金屬奈米結構粉末混漿塗膜於基材上，即可得到具有高表面積的一維金屬奈米線線結構於撓性基材上。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	一維金屬奈米結構之製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I457474	zh_TW
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