標題: 於矽晶片上形成太陽能電池之矽鍺層的方法
作者: 張翼
唐士軒
林岳欽
公開日期: 21-十一月-2012
摘要: 本發明係在矽基板上成長矽鍺層,並在其上成長三五族化合物半導體太陽能電池。首先在矽晶片上使用矽離子佈植方法以促進矽晶片和矽鍺磊晶層的鬆弛,降低矽鍺磊晶層的厚度,再於矽基板上生長無應力的P型摻雜矽鍺緩衝層,藉以降低三五族高效率太陽能電池生產成本。並於矽鍺緩衝層上形成三五族高效率太陽能電池。
官方說明文件#: H01L031/18
H01L021/20
URI: http://hdl.handle.net/11536/105951
專利國: TWN
專利號碼: I377690
顯示於類別:專利資料


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