一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法

Abstract

本發明於氮化鎵層上形成介電層，利用曝光以及顯影蝕刻製程使該介電層形成條狀或點狀之圖形，並以該介電層作為後續氮化鎵層進行側向成長(Epitaxy Lateral Overgrowth)之遮罩，在氮化鎵層上方長成氮化鎵厚膜，接著以濕蝕刻方式將介電層移除，並蝕刻介電層上方之氮化鎵厚膜，以形成所需之特定形狀。