完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 鄭晃忠 | en_US |
dc.contributor.author | 黃昱智 | en_US |
dc.contributor.author | 楊柏宇 | en_US |
dc.contributor.author | 姜信銓 | en_US |
dc.contributor.author | 李懷安 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:43Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:16:43Z | - |
dc.date.issued | 2012-01-21 | en_US |
dc.identifier.govdoc | G02F001/1368 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106039 | - |
dc.description.abstract | 一種頂閘極型電晶體陣列基板,包括一透明基板、一離子釋出層、一畫素陣列與一第一絕緣層。透明基板具有一平面,而離子釋出層配置於透明基板上,並全面性地覆蓋平面。畫素陣列配置於離子釋出層上,並包括多個電晶體與多個畫素電極。各個電晶體包括一源極、一汲極、一閘極與一金氧半導體層。汲極、源極與金氧半導體層皆配置於離子釋出層上,而這些畫素電極分別電性連接這些汲極。閘極配置於金氧半導體層的上方,而第一絕緣層配置於這些金氧半導體層與這些閘極之間。金氧半導體層接觸離子釋出層。離子釋出層能釋出多個離子至金氧半導體層。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 頂閘極型電晶體陣列基板 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | M421516 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |