標題: | 頂閘極型電晶體陣列基板 |
作者: | 鄭晃忠 黃昱智 楊柏宇 姜信銓 李懷安 |
公開日期: | 21-一月-2012 |
摘要: | 一種頂閘極型電晶體陣列基板,包括一透明基板、一離子釋出層、一畫素陣列與一第一絕緣層。透明基板具有一平面,而離子釋出層配置於透明基板上,並全面性地覆蓋平面。畫素陣列配置於離子釋出層上,並包括多個電晶體與多個畫素電極。各個電晶體包括一源極、一汲極、一閘極與一金氧半導體層。汲極、源極與金氧半導體層皆配置於離子釋出層上,而這些畫素電極分別電性連接這些汲極。閘極配置於金氧半導體層的上方,而第一絕緣層配置於這些金氧半導體層與這些閘極之間。金氧半導體層接觸離子釋出層。離子釋出層能釋出多個離子至金氧半導體層。 |
官方說明文件#: | G02F001/1368 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/106039 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | M421516 |
顯示於類別: | 專利資料 |