標題: 頂閘極型電晶體陣列基板
作者: 鄭晃忠
黃昱智
楊柏宇
姜信銓
李懷安
公開日期: 21-一月-2012
摘要: 一種頂閘極型電晶體陣列基板,包括一透明基板、一離子釋出層、一畫素陣列與一第一絕緣層。透明基板具有一平面,而離子釋出層配置於透明基板上,並全面性地覆蓋平面。畫素陣列配置於離子釋出層上,並包括多個電晶體與多個畫素電極。各個電晶體包括一源極、一汲極、一閘極與一金氧半導體層。汲極、源極與金氧半導體層皆配置於離子釋出層上,而這些畫素電極分別電性連接這些汲極。閘極配置於金氧半導體層的上方,而第一絕緣層配置於這些金氧半導體層與這些閘極之間。金氧半導體層接觸離子釋出層。離子釋出層能釋出多個離子至金氧半導體層。
官方說明文件#: G02F001/1368
URI: http://hdl.handle.net/11536/106039
專利國: TWN
專利號碼: M421516
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. M421516.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。