完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 邱清華 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃泓文 | en_US |
| dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
| dc.contributor.author | 盧廷昌 | en_US |
| dc.contributor.author | 王興宗 | en_US |
| dc.contributor.author | 賴志銘 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:46Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:46Z | - |
| dc.date.issued | 2011-11-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106056 | - |
| dc.description.abstract | 一種半導體發光元件，包含一基板、一形成於該基板上的p型半導體層、一形成於該p型半導體層上的發光層，及一形成於該發光層上的n型半導體層；在該n型半導體層表面形成有多數個垂直於該基板方向且深度不小於0.2微米的奈米柱體。藉由加深該等奈米柱體的深度，可以改變該半導體發光元件的發光場型，而提昇該半導體發光元件的正向出光強度及發光效率。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 半導體發光元件及其製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I353068 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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