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dc.contributor.author陳三元en_US
dc.contributor.author蕭繼聖en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:53Z-
dc.date.available2014-12-16T06:16:53Z-
dc.date.issued2010-04-11en_US
dc.identifier.govdocC30B029/16zh_TW
dc.identifier.govdocC30B029/60zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/208zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/368zh_TW
dc.identifier.govdocH01L033/00zh_TW
dc.identifier.govdocC09K011/54zh_TW
dc.identifier.govdocC09K011/64zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/106144-
dc.description.abstract本發明主要揭示了在一種高度陣列式排列的氧化鋁-氧化鋅複合奈米線的製備方法,其步驟至少包括:在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上,經由一種簡單的化學溶液法,在低溫(60-95℃)成長氧化鋅奈米線(或奈米柱),再經過浸入Al離子解膠水溶液,最後再置入氣氛爐中做快速熱處理退火。如此可得到具有單晶的wurtzite結構的氧化鋅奈米線陣列,由SEM分析可以得知,此複合奈米線直徑約為20-100nm。 This invention relates to a highly arrayed AlOx-ZnO nanorods, wherein the Highly arrayed AlOx-ZnO nanorods were fabricated on Si buffered with ZnO film after wet-chemical process at a low temperature (60-95℃), post-immersed in the precursor sol of Al + 3 and treated in atmosphere by rapid thermally annealing. The highly arrayed ZnO nanorods show a single-crystal wurtzite structure with a homogeneous diameter of approximately 20-100 nm. 【創作特點】 有鑑於先前技術於製備氧化鋁-氧化鋅複合奈米線或奈米棒上缺失,本發明之主要目的,即在於揭示一種可在任何基板,如塑膠、矽或氧化物上,且在低溫下,可製作出高度陣列式排列的氧化鋁-氧化鋅(ZnO)奈米線或奈米柱的製程,以此製程完成的氧化鋁-氧化鋅奈米線具有超越先前技術之優越特性,光激發光光譜(PL)更顯示本發明經過快速熱處理退火後,可以有效的降低本質性紫外光區訊號(UV peak @ 377 nm),使此氧化鋅奈米線之光學性質變好,並可放射很強的藍光。本發明次一目的乃揭露了可利用低溫水溶液製程所製作出的氧化鋁-氧化鋅奈米線因其具有表面缺陷特性,乃可加以運用其他離子例如錳、鎂、等離子的添加,進而發生如綠光、紅光等其他光譜之發光。簡言之,本發明乃是結合此簡易液相溶液法,再配合以水溶液解膠法鍍上氧化鋁在氧化鋅奈米線或奈米棒上,使其變成複合奈米材料,並具有高亮度和高純度的藍光特性。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title高度陣列式排列的氧化鋁-氧化鋅複合奈米線的製備方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI323298zh_TW
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