化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極

Abstract

一種化合物半導體元件之銅金屬化之歐姆接觸電極，經過電子束蒸鍍沈積鈀(Pd)層、鍺(Ge)層及銅(Cu)層於化合物半導體元件上所組成，接著利用浮離製程(Lift-off)去除多餘之金屬及光阻，最後進行快速高溫退火過程而形成歐姆接觸電極。其中低電阻值之歐姆接觸電極係利用調整鈀層、鍺層及銅層之厚度及配合退火溫度而形成，可應用於銅金屬化製程，有效增加化合物半導體元件的散熱特性，且使生產成本降低。