完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 呂宗熙 | en_US |
| dc.contributor.author | 蘇侯舉 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:04Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:04Z | - |
| dc.date.issued | 2007-05-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01F041/04 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106265 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係提供一種薄膜式電磁線圈之製作方法，係利用原子力顯微鏡進行微影(Force Lithography)加工，製造具有奈米等級的電磁線圈，進而提高其磁場強度；其係利用原子力微影顯微技術於一薄膜基材上進行加工，使其呈現凹陷結構，再經由一微機電製程，形成一具有奈米等級、高磁場強度的薄膜式電磁線圈，以達到降低成本、提升電磁線圈效率之功能。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 薄膜式電磁線圈之製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I280594 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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