多位元電阻切換記憶體元件與陣列

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	侯拓宏	en_US
dc.contributor.author	吳仕傑	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:06Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:06Z	-
dc.date.issued	2014-09-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L027/24	zh_TW
dc.identifier.govdoc	G11C008/12	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106283	-
dc.description.abstract	本發明提供一種多位元電阻切換記憶體元件及陣列。每一記憶體元件可形成多個導通路徑，導通路徑彼此獨立，且任一導通路徑之電阻可為高電阻狀態或低電阻狀態，而形成多位元電阻切換記憶體元件。利用多位元電阻切換記憶體元件排列而成之陣列，可提供結構簡單、高密度、高效能以及低成本的記憶體裝置。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	多位元電阻切換記憶體元件與陣列	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I451570	zh_TW
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