利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳耀銓	en_US
dc.contributor.author	胡國仁	en_US
dc.contributor.author	賴育銘	en_US
dc.contributor.author	侯智元	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:07Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:07Z	-
dc.date.issued	2006-11-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/316	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106296	-
dc.description.abstract	本發明關於利用鎳誘發非晶矽結晶方法而製造出大的多晶矽顆粒，其利用背面預先鍍上Ni之矽晶圓當做Ni的晶種層以控制Ni擴散的數量，及採取壓印技術以控制多晶矽成長之成核位置，而製造出大的多晶矽顆粒。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I267142	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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