降低化學氣相沉積銅膜電阻率及提高銅膜Cu（111）／Cu（200）晶向比之電漿處理製程

Abstract

本發明關於一種新穎的半導體製程，其特徵在於基板的電漿前置處理及/或後續的銅膜退火處理，利用此項處理步驟可以沉積出具有低電阻率及Cu(111)/Cu(200)高晶向比的化學氣相沉積銅膜，而改善化學氣相沉積銅膜之特性。