完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 徐文祥 | en_US |
dc.contributor.author | 謝漢萍 | en_US |
dc.contributor.author | 孫翊庭 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:14Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:17:14Z | - |
dc.date.issued | 2006-08-21 | en_US |
dc.identifier.govdoc | G11B011/10 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | G11B011/10 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106323 | - |
dc.description.abstract | 本發明係提供一種磁光式之近場光學光儲存元件,係先利用犧牲層製作空氣軸承結構;再定義一初始小孔,並以電鍍法縮小該孔至奈米等級,再以兩次之厚膜光阻層配合兩次電鍍製程,製作高深寬比之金屬線圈結構與金屬內連線;可有效利用面積與降低電阻,最後利用微影製程中對不同區域的不同曝光量控制,定義單層光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之結構,接著配合回流(reflow)即可利用一連續製程製作出結合超半球固態浸沒式透鏡(solid immersion lens)、奈米微孔、金屬線圈、空氣軸承之磁光(MO)讀取頭,而不需精密昂貴的設備,並可批次大量生產,免去組裝的步驟,並且不用高精密度之儀器即可製作,達到高資料儲存與複寫。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 磁光式之近場光學光儲存元件 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | I260583 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |