掺碳氮化矽薄膜及其製造方法與裝置

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	呂志鵬	en_US
dc.contributor.author	凃弘恩	en_US
dc.contributor.author	邱維剛	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:17Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:17Z	-
dc.date.issued	2014-08-21	en_US
dc.identifier.govdoc	C23C016/34	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/42	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C07F007/10	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/311	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106338	-
dc.description.abstract	本發明提出一種掺碳氮化矽薄膜及其製造方法與裝置。該掺碳氮化矽薄膜係利用具有選自雙(二甲基胺基)二乙基矽烷、N,N-二甲基三甲基矽胺以及具有氮矽鍵結的一環狀結構其中至少之一的前驅物(precursor)所製成。該製造掺碳氮化矽薄膜的方法包含：提供具有選自雙(二甲基胺基)二乙基矽烷、N,N-二甲基三甲基矽胺或具有氮矽鍵結的環狀結構其中至少之一的前驅物來製備掺碳氮化矽薄膜。該製造掺碳氮化矽薄膜的裝置，包含：反應室；以及與該反應室相連接的容器，該容器含有如前所述的該前驅物。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	掺碳氮化矽薄膜及其製造方法與裝置	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I449802	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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