標題: p型氧化鋅薄膜之製作方法
作者: 陳三元
林晉慶
公開日期: 11-十一月-2005
摘要: 本發明係為一p型氧化鋅薄膜之製作方法,其為在鍍有氮化矽薄膜的矽基板上,經由磁控射頻濺鍍法,在低溫(50℃)成長氧化鋅薄膜,再經過氮離子佈值處理及熱退火處理,改善其結晶性,並提升本質性紫外光區訊號,降低可見光放射強度,使其具有高電洞濃度、高電洞載子遷移率、高穩定性及光電特性佳等特性,可應用於p-n接面和半導體異質結構的光電元件上。
官方說明文件#: B32B015/04
B32B015/04
URI: http://hdl.handle.net/11536/106356
專利國: TWN
專利號碼: I243096
顯示於類別:專利資料


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