完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 王朝勳 | en_US |
dc.contributor.author | 李鎮宇 | en_US |
dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:18Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:17:18Z | - |
dc.date.issued | 2014-08-11 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01L033/62 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106360 | - |
dc.description.abstract | 本發明揭露一種半導體發光元件,其包含:基板,具有第一表面及一第二表面;第一半導體導電層,設置在基板之第一表面上;插入層,設置在第一半導體導電層上;主動層,設置在插入層上;第二半導體導電層,設置在主動層上;第一電極,設置在第二半導體導電層上;及第二電極,設置在基板之第二表面上,且其第二電極之電性與第一電極之電性相反。由於插入層係為具有層寬能隙的材料層,可以同時作為電子阻擋層與電洞注入層,以此插入層取代電子阻障層,不僅能夠使價電帶的能障降低,讓電洞更容易注入主動層內而與電子復合發光,且能阻檔電子溢流,以增加半導體發光元件的發光效率。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 半導體發光元件 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | I449224 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |