标题: 制作自行聚合奈米粒之方法
作者: 陈卫国
李明知
周武清
陈文雄
柯文政
公开日期: 1-八月-2005
摘要: 一种用以成长奈米粒的方法,系可在任何晶格匹配度材料之缓冲层上,不需透过图案遮罩(mask)之制作,即可自行聚合方式(self-assembled)成长包含III-V族、II- VI族或IV-IV族材料之二元、三元以上化合物之奈米粒为特征。
该方法系在基板上先成长任一种材料之缓冲层,然后于适当温度范围内完成周期性流量调制磊晶成长,包含:在通入第二反应物前,先通入清除气体并调制第一反应物至较低第一莫耳流量范围,致使通入之第二反应物得以在缓冲层上形成金属或该高金属含量化合物岛状物,再通入清除气体以清除残余未形成金属或高金属含量化合物岛状物之第二反应物,再调制第一反应物至较高第二莫耳流量范围使该金属或该高金属含量化合物岛状物可以形成奈米粒。最后在完成周期性流量调制磊晶成长后,于较高之成长温度下进行再结晶化步骤,以形成结构性佳之高品质奈米粒。
官方说明文件#: H01L029/02
H01L029/02
URI: http://hdl.handle.net/11536/106368
专利国: TWN
专利号码: I237391
显示于类别:Patents


文件中的档案:

  1. I237391.pdf

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