標題: 低溫沉積氧化層的方法
作者: 葉清發
陳柏翰
王碩晟
徐中玓
公開日期: 21-Jun-2004
摘要: 一種低溫沉積氧化層的方法,在利用液相沉積氧化層之前先使用臭氧處理,以於基板表面成長原生氧化層,再沉積液相氧化層,並且可以於氧化層形成後施以電漿退火處理,可獲得高品質氧化膜,而所有製程均可在室溫下進行。
官方說明文件#: C23C016/40
C23C016/40
URI: http://hdl.handle.net/11536/106432
專利國: TWN
專利號碼: 00593735
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