完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 葉清發 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳柏翰 | en_US |
| dc.contributor.author | 王碩晟 | en_US |
| dc.contributor.author | 徐中玓 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:26Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:26Z | - |
| dc.date.issued | 2004-06-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/40 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/40 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106432 | - |
| dc.description.abstract | 一種低溫沉積氧化層的方法，在利用液相沉積氧化層之前先使用臭氧處理，以於基板表面成長原生氧化層，再沉積液相氧化層，並且可以於氧化層形成後施以電漿退火處理，可獲得高品質氧化膜，而所有製程均可在室溫下進行。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 低溫沉積氧化層的方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 00593735 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
