低溫沉積氧化層的方法

標題:	低溫沉積氧化層的方法
作者:	葉清發陳柏翰王碩晟徐中玓
公開日期:	21-六月-2004
摘要:	一種低溫沉積氧化層的方法，在利用液相沉積氧化層之前先使用臭氧處理，以於基板表面成長原生氧化層，再沉積液相氧化層，並且可以於氧化層形成後施以電漿退火處理，可獲得高品質氧化膜，而所有製程均可在室溫下進行。
官方說明文件#:	C23C016/40 C23C016/40
URI:	http://hdl.handle.net/11536/106432
專利國:	TWN
專利號碼:	00593735
顯示於類別：	專利資料

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