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dc.contributor.author吳耀銓en_US
dc.contributor.author趙志偉en_US
dc.contributor.author侯智元en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:17:27Z-
dc.date.available2014-12-16T06:17:27Z-
dc.date.issued2004-06-11en_US
dc.identifier.govdocC01B031/02zh_TW
dc.identifier.govdocC01B031/02zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/106436-
dc.description.abstract本案乃關於利用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生 長的方法與其產生之結構,其中擇區生長之步驟包含:提 供一第一基板,並於該第一基板上形成一第一遮蔽層;以 一黃光微影技術處理該第一遮蔽層以形成複數個區域於該 第一基板。接著以一緩衝溶液對該複數個特定區域進行一 第一蝕刻以形成一第二遮蔽層於該第一基板,再以一化學 蝕刻液對該第一基板與該第二遮蔽層進行一第二蝕刻以形 成複數個尖型結構於該第一基板上。此後可分兩方式進 行,方式一為:先塗覆一金屬觸媒於該複數個尖型結構, 接著以該複數個尖型結構壓印於一第二基板,最後再將被 壓印之該第二基板進行奈米碳管生長;方式二則為:先塗 附一金屬觸媒於一第三基板,再以該複數個尖型結構壓印 該第三基板以使該複數個尖型結構分別帶有一金屬觸媒 球;最後再將該第一基板進行奈米碳管生長。 五、(一)、本案代表圖為:第 七 圖 (二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明: 61:第一金屬觸媒球 7:第二矽基板 71:壓印痕 8:第一奈米碳管zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber00590985zh_TW
顯示於類別:專利資料


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  1. 00590985.pdf

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