利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法

Abstract

本發明有關一種利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法，包含下列步驟(i)利用一光阻塗佈機依序旋塗兩層光阻於一基板之上，其中該兩層光阻之一底層光阻係對電子束比較不敏感但解析度較高之一高分子光阻，及該兩層光阻之一頂層光阻係對電子束比較敏感但解析度較低之另一高分子光阻；(ii)藉一熱盤來加熱該兩層光阻，使該兩層光阻硬化；(iii)藉一高加速電壓之電子束微影技術，以直寫方式在該兩層光阻上曝射出形成閘極之光阻圖案；(iv)利用顯影劑及蝕刻劑顯影及蝕刻出該閘極之凹洞；(v)以電子槍蒸鍍技術在該閘極凹洞處鍍上一層金屬層；以及(vi)去除該等光阻以形成閘極，其特徵在於蝕刻出該閘極之凹洞後，以熱盤加熱方式回流該等光阻，透過適當的加熱時間及溫度，使該閘極之凹洞形成所需之奈米級寬度。