金氧半場效電晶體之閘極結構

Abstract

本發明係提出一種新的合金系統，用以解決金氧半場效電晶體金屬閘極功函數的不適性，促使表面通道電晶體起始電壓係可有效降低，達到低工作電壓之要求，本合金系統以化學性質不活潑且熱穩定性極佳的鉑金屬(Pt)為主成分，加入不同比例之低功函數材料，例如：鉭(Ta)或鈦(Ti)，以達成調整功函數之目的。合金閘的製作方法可以是同時濺鍍(co-sputter)或是同時蒸鍍(co-evaporation)的物理氣象沉積方式，依所需之成分調整鉑靶及低功函數金屬靶之沉積速率，以合成適當的鉑合金，亦可以使用事先合成之合金靶，以單純物理性濺鍍方式製作。