增強型氮化鎵電晶體及其形成方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.contributor.author	王煥中	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:32Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:32Z	-
dc.date.issued	2014-12-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/78	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/28	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106476	-
dc.description.abstract	一種增強型氮化鎵電晶體，其結構由下而上包括：基板、異質結構、p型元素磊晶成長層、汲極歐姆接觸及源極歐姆接觸設置在異質結構上且設至於p型元素磊晶成長層之兩側邊、閘極結構設置在p型元素磊晶成長層上且與汲極歐姆接觸及源極歐姆接觸彼此分離以及表面鈍化層包覆汲極歐姆接觸、源極歐姆接觸、p型元素磊晶成長層及覆蓋部份閘極結構，藉由異質結構與p型元素磊晶成長層在閘極結構下方可以形成P-N接面，而成為具有高輸出電流之增強型氮化鎵電晶體。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	增強型氮化鎵電晶體及其形成方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201445737	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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