靜態記憶體及記憶胞

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	周世傑	en_US
dc.contributor.author	杜明賢	en_US
dc.contributor.author	胡育豪	en_US
dc.contributor.author	莊景德	en_US
dc.contributor.author	邱奕瑋	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:34Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:34Z	-
dc.date.issued	2014-11-01	en_US
dc.identifier.govdoc	G11C011/41	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/8244	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106489	-
dc.description.abstract	本發明提出靜態記憶體及記憶胞，靜態記憶胞包括第一至第六電晶體、第一至第三開關、第一及第二下拉開關。在進行資料寫入時，透過截止第二或第五電晶體來切斷由第一至第六電晶體所構成的閂鎖電路的閂鎖能力，以加快資料寫入的速度及加強寫入能力。第一及第二開關提供資料讀出或寫入的路徑，而第三開關則耦接至位元線以接收位元上的資料或傳送資料至位元線。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	靜態記憶體及記憶胞	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201442028	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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