具有共享位元線之１０個電晶體之二對埠靜態隨機存取記憶體

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	黃威	en_US
dc.contributor.author	王道平	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:38Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:38Z	-
dc.date.issued	2014-07-16	en_US
dc.identifier.govdoc	G11C011/412	zh_TW
dc.identifier.govdoc	G11C011/417	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106517	-
dc.description.abstract	本發明揭露一種具有共享位元線之10個電晶體之二對埠靜態隨機存取記憶體,其包含一第一及一第二記憶體單元。第一記憶體單元具有一第一儲存單元、一第一及一第二切換器組,第二記憶體單元具有一第二儲存單元、一第三及一第四切換器組。該第二切換器組連接至一A埠反相第一位元線、一B埠反相第一位元線、及該第一儲存單元。該第三切換器組連接至該A埠反相第一位元線、該B埠反相第一位元線、及該第二儲存單元。其中,該第二記憶體單元藉由該第三切換器組,以和該第一記憶體單元共用該A埠反相第一位元線及該B埠反相第一位元線。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	具有共享位元線之１０個電晶體之二對埠靜態隨機存取記憶體	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201428742	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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