可供製造高電遷性電晶體之結構、包含此結構的元件及其之製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	吳雲驥	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:44Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:44Z	-
dc.date.issued	2014-07-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/778	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/336	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106560	-
dc.description.abstract	所揭示者為一種適合做為半導體元件之砷化鎵金氧半導體假型高電遷性電晶體(MOS-PHEMT)的結構，及一種製造此結構的方法。此MOS-PHEMT結構的特徵在於具有一層以原子層沉積方式形成的閘極介電質，且該閘極介電質是由以下任一種材料製成：Al2O3、HfO2、La2O3或ZrO2；使得包含此MOS-PHEMT結構的元件，例如高頻開關元件，具有較低的閘極漏電流、較少的直流電力損耗、較少的衰減損耗以及較佳的隔絕性質。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	可供製造高電遷性電晶體之結構、包含此結構的元件及其之製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I446532	zh_TW
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