統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Transition mechanism of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetectors with different InAs coverages | 120 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Transition mechanism of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetectors with different InAs coverages | 0 | 0 | 0 | 2 | 1 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000278182700076.pdf | 8 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 95 |
| 美國 | 16 |
| 俄羅斯聯邦 | 4 |
| 越南 | 2 |
| 法國 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 伊拉克 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Kensington | 7 |
| Menlo Park | 7 |
| Saint Petersburg | 4 |
| Hanoi | 2 |
| Buffalo | 1 |
| Edmond | 1 |
| Paris | 1 |
| Sulaymaniyah | 1 |