光感測元件及其製備方法

Abstract

本發明係有關於一種光感測元件及其製備方法，本發明之光感測元件具有極大蕭特基接面且其包括：一第一導電層；複數金屬奈米線，該每一金屬奈米線之一端係與該第一導電層連接，且該每一金屬奈米線之表面係覆有一半導體層，該半導體層之厚度係為1nm-20nm；以及一第二導電層，係對應該第一導電層而配置，該複數金屬奈米線係配置於該第一導電層與該第二導電層之間，且該第二導電層與該複數金屬奈米線表面之半導體層接觸；其中，該光感測元件係用於感測波長10nm-400nm之紫外光。