統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| The effect of free-standing GaN substrate on carrier localization in ultraviolet InGaN light-emitting diodes | 9 |
本月總瀏覽
| 十二月 2024 | 一月 2025 | 二月 2025 | 三月 2025 | 四月 2025 | 五月 2025 | 六月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| The effect of free-standing GaN substrate on carrier localization in ultraviolet InGaN light-emitting diodes | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000347649100001.pdf | 1 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 美國 | 5 |
| 中國 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Menlo Park | 4 |
| Beijing | 1 |