統計資料
總造訪次數
檢視 | |
---|---|
2H-Silicon Carbide Epitaxial Growth on c-Plane Sapphire Substrate Using an AlN Buffer Layer and Effects of Surface Pre-Treatments | 18 |
本月總瀏覽
五月 2024 | 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
2H-Silicon Carbide Epitaxial Growth on c-Plane Sapphire Substrate Using an AlN Buffer Layer and Effects of Surface Pre-Treatments | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
檔案下載
檢視 |
---|
國家瀏覽排行
檢視 | |
---|---|
美國 | 12 |
澳大利亞 | 1 |
中國 | 1 |
法國 | 1 |
愛爾蘭 | 1 |
俄羅斯聯邦 | 1 |
縣市瀏覽排行
檢視 | |
---|---|
Kensington | 5 |
Menlo Park | 4 |
Edmond | 2 |
Beijing | 1 |
Logan | 1 |
Wilmington | 1 |