以混合式氧化鑭閘極氧化層改善氮化鎵 高電子遷移率電晶體線性度之研究

標題:	以混合式氧化鑭閘極氧化層改善氮化鎵高電子遷移率電晶體線性度之研究 Improved Linearity in GaN MIS-HEMTs Using La2O3-based stack Gate Dielectric
作者:	施旺成 Shih, Wang-Cheng 張翼, 馬哲申 Chang, Edward-Yi Maa, Jer-Shen 光電系統研究所
關鍵字:	氮化鎵;高電子遷移率電晶體;線性度;GaN;MIS-HEMTs;Linearity
公開日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070258014 http://hdl.handle.net/11536/127565
顯示於類別：	畢業論文