統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 極小晶粒與通道厚度於垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體元件特性之影響 | 32 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 極小晶粒與通道厚度於垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體元件特性之影響 | 0 | 0 | 2 | 1 | 0 | 4 | 1 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 13 |
| 美國 | 8 |
| 越南 | 4 |
| 加拿大 | 2 |
| 台灣 | 2 |
| 巴西 | 1 |
| 日本 | 1 |
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Beijing | 13 |
| Menlo Park | 5 |
| Hanoi | 3 |
| Kensington | 2 |
| Ottawa | 2 |
| Edmond | 1 |
| Ho Chi Minh City | 1 |