統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 藉由雙閘極製程改善成長於碳化矽基板上氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體元件之線性度 | 18 |
本月總瀏覽
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 美國 | 11 |
| 台灣 | 4 |
| 中國 | 2 |
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Menlo Park | 8 |
| Taipei | 3 |
| Beijing | 2 |
| Kensington | 2 |
| Edmond | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 藉由雙閘極製程改善成長於碳化矽基板上氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體元件之線性度 | 18 |
| 檢視 |
|---|
| 檢視 | |
|---|---|
| 美國 | 11 |
| 台灣 | 4 |
| 中國 | 2 |
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| Menlo Park | 8 |
| Taipei | 3 |
| Beijing | 2 |
| Kensington | 2 |
| Edmond | 1 |