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dc.contributor.author邱俊誠en_US
dc.contributor.author張志瑋en_US
dc.contributor.author楊自森en_US
dc.date.accessioned2015-12-04T07:03:19Z-
dc.date.available2015-12-04T07:03:19Z-
dc.date.issued2015-06-11en_US
dc.identifier.govdocH01L027/04zh_TW
dc.identifier.govdocH01L023/52zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/128728-
dc.description.abstract1.一種整合被動元件之半導體裝置,應用於類比電路中,該半導體裝置包括:一基板;至少一被動元件,設於該基板中,該被動元件包含:一第一導電層,設於該基板中;一第一介電層,設於該第一導電層上;及一第二導電層,設於該第一介電層上,該第一導電層與該第二導電層之間係透過該第一介電層以產生一等效元件,其中該被動元件係為板狀被動元件或柱狀被動元件,該柱狀被動元件包含由內向外環設之該第一導電層、該第一介電層及該第二導電層,該第一導電層及該第二導電層係為環形導電層,該第一介電層係形成對應該環形導電層之形狀;及至少一半導體積體電路,設於該基板上,該半導體積體電路係透過該第一導電層及該第二導電層電性連接,據以形成雙向訊號導通路徑,其中該基板之背面設有至少一第二環形孔洞以及至少一第一穿孔,該半導體積體電路係設於該基板之正面,該柱狀被動元件設於該第二環形孔洞內,該第一導電層及該第二導電層分別利用一第一導線及一第二導線電性穿過該第一穿孔以電性連接至該半導體積體電路。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title整合被動元件之半導體裝置zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI488286zh_TW
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